在第一部分，我们利用雷射剥离技术成功的制做出垂直式氮化镓发光二极体，并且在利用光阻溢流与乾式蚀刻将微米透镜阵列制作在元件的表面，微米透镜的尺寸为3、5、10、15、20微米，在量测的结果部分，在发光波长在460奈米下，垂直面的光增强了30%~15%相较於没有制作微米透阵列的垂直式氮化镓发光二极体。
另一部份，则是在垂直式氮化镓发光二极体的表面制造粗化的效果，以来增进光从发光二极体中萃取出的效率，利用乾式蚀刻将表面制造出粗化的效果，再利用标准的黄光微影制成技术，因此成功的制造出n型表面粗化的垂直式氮化镓发光二极体，至於出光强度的增强量会随者表面粗化情况的不同有著30%？
为计算两种情况的电阻值，使用下面的公式：R=(3.3V–VD–VLED)/ILED（图1a），和R=(VCC–VZ–VLED)/ILED（图1b），在这里ILED为LED所需的电流，VD为ILED电流流过二极管产生的电压，VZ为zener二极管电压，VLED为ILED电流流过LED的前向电压。
交流220VLED防爆灯，有发光效率高、奉命长、绿色环保等优点，已广泛用危险区照明及住宅小区、学校、医院、公共场所照明。